有分銷商人士對(duì)國際電子商情表示，閃迪19納米工藝產(chǎn)品今年第三季度就會(huì)停產(chǎn)（EOL），15納米的4GB產(chǎn)品最快也要等到Q3-4才會(huì)進(jìn)行量產(chǎn)。閃迪的4GB顆粒這周牌價(jià)4.6美元左右微漲。未來閃迪主推15納米工藝產(chǎn)品，待產(chǎn)能釋放將直接8GB-16GB起跳。

目前，西部數(shù)據(jù)、閃迪、HGST共同組成了西部數(shù)據(jù)公司，SSD漲價(jià)讓西數(shù)營收暴增。SSD方面從去年第二季至今漲幅逾八成，本周報(bào)價(jià)出現(xiàn)下跌，調(diào)降各產(chǎn)品線約1美元智能手機(jī)方面，eMMC價(jià)格也出現(xiàn)微跌。內(nèi)存IC設(shè)計(jì)及模塊廠認(rèn)為，NAND Flash漲多回調(diào)，預(yù)估第二季將面臨價(jià)格回跌，下半年進(jìn)入新品出貨旺季，可使銷售量上揚(yáng)。

閃迪和東芝聯(lián)手打造的15nm工藝除了縮小芯片尺寸之外，還改進(jìn)了外圍電路技術(shù)，能夠獲得和第二代19nm工藝相同的寫入速度。同時(shí)借助新的高速接口，數(shù)據(jù)傳輸率相比上一代 19nm 的模塊提高了30%，達(dá)到533Mbps。閃迪設(shè)計(jì)東芝制造的15nm NAND 閃存模塊在日本三重縣四日市的 Fab 5 廠房進(jìn)行量產(chǎn)，15納米主要用于替代19納米工藝生產(chǎn)先進(jìn)構(gòu)架的新存儲(chǔ)芯片，可以制造全球體積最小且最具成本效益的128Gb芯片，是閃迪未來數(shù)年的主流工藝。

在3D-NAND的進(jìn)展上，64層堆棧的3D-NAND Flash在良率與eMMC／UFS、消費(fèi)級(jí)SSD、企業(yè)級(jí)SSD等OEM產(chǎn)品的導(dǎo)入上，挑戰(zhàn)性皆增加，因此明年3D-NAND在64層堆棧的產(chǎn)品成熟前也將維持供應(yīng)吃緊的狀況，最快要到2017年第三季起才有機(jī)會(huì)成熟量產(chǎn)出貨。

從產(chǎn)品面看，閃迪（西數(shù)）64層堆棧3D-NAND Flash已經(jīng)在自家Retail產(chǎn)品開始出貨，OEM產(chǎn)品的認(rèn)證過程也會(huì)在本季開始進(jìn)行，預(yù)計(jì)整體3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重在2017年底前將超過50%。

從需求端來看，由于智能手機(jī)成長放緩、平板電腦出貨持續(xù)衰退，相關(guān)行動(dòng)式 NAND的需求成長動(dòng)能將改由平均搭載量（Content per box）來驅(qū)動(dòng)，而在新款iPhone出貨主流為128GB下，其他智能手機(jī)品牌也加速提升eMMC／UFS的容量來提高產(chǎn)品競爭力。

預(yù)估，2017年第四季全球筆電出貨的固態(tài)硬盤滲透率將超越50%，且企業(yè)級(jí)SSD的需求也隨著服務(wù)器／數(shù)據(jù)中心的需求強(qiáng)勁成長而快速上揚(yáng)，再加上固態(tài)硬盤的平均搭載量也持續(xù)增加，使得2017年整體固態(tài)硬盤需求成長率將高達(dá)60%，所消耗的Flash比重也將正式站上40%大關(guān)，為各項(xiàng)NAND Flash終端需求中表現(xiàn)最強(qiáng)勁的應(yīng)用。