在“2015 Qualcomm 3G/LTE峰會”上，高通（Qualcomm）推出2款移動處理器平臺驍龍430和驍龍617，主打中端平價高性能的移動市場，兩顆芯片均為8核心采用ARM Cortex A53構(gòu)架，同時支持下一代快速充電技術(shù)Qualcomm Quick Charge 3.0。高通表示，這兩款芯片將為中端移動終端帶來更強的多媒體能力和連接性能。

 

兩款芯片已積極排片備產(chǎn)，據(jù)高通英文官網(wǎng)透露將由28納米工藝制造。有猜測表示驍龍617可能交由中芯國際代工，而驍龍430交由臺積電代工。采用驍龍430處理器的商用終端預(yù)計將于2016年第2季度上市，而驍龍617處理器預(yù)計將于2015年底前在商用終端中實現(xiàn)應(yīng)用。

 

驍龍430具體參數(shù)：

 

1.X6 LTE調(diào)制解調(diào)器下行支持Cat 4，最高傳輸速度達(dá)150 Mbps，并且支持2x10 MHz載波聚合。通過首次在該層級處理器中支持64-QAM，上行支持Cat 5，最高傳輸速度達(dá)75 Mbps；

 

 

 

 

2.支持雙攝像頭配置和最高達(dá)2100萬像素傳感器的優(yōu)質(zhì)圖像，并采用全新強大的Qualcomm Adreno 505 GPU，支持Open GL ES3.1、Android Extension Pack和 OpenCL 2.0等特性。

 

驍龍617具體參數(shù)：

 

1.包含此前6XX系列僅限于高端產(chǎn)品的特性，較驍龍430的連接性和各項能力有全面提升。

 

2.集成了X8 LTE調(diào)制解調(diào)器，利用雙向2x20 MHz載波聚合支持Cat 7，下行速度最高達(dá)300 Mbps，上行速度最高達(dá)100 Mbps，滿足全球?qū)Ω霯TE數(shù)據(jù)速率的需求；

 

 

 

 

3.與驍龍620與618享有同樣的軟件提升、雙ISP以及攝像頭架構(gòu)。此外，驍龍617、618和620能夠運行相同的軟件包，使OEM廠商可以快速高效地推出產(chǎn)品。

 

Qualcomm表示，驍龍617和430與面向全球載波聚合的全新成本優(yōu)化型射頻收發(fā)器WTR 2965相匹配，能實現(xiàn)最優(yōu)射頻性能。

 

此外，兩款處理器都使用了高性能、低功率的Qualcomm Hexagon DSP，支持低功率傳感器和先進的音頻功能。驍龍430和驍龍617處理器還將快速追蹤區(qū)域認(rèn)證流程，以支持Qualcomm全球支持計劃（Qualcomm Global Pass）認(rèn)證項目。

 

高通驍龍820采用X12 LTE基帶 最高支持Cat 13

 

早前消息顯示，驍龍820處理器是高通認(rèn)知計算平臺Zeroth的首款重量級產(chǎn)品，具備“人工智能”能力。會采用4核心64位架構(gòu)——Qualcomm Kryo CPU，集成Adreno 530 GPU和Qualcomm Spectra ISP，以及全新的Hexagon 680 DSP。

 

高通表示，驍龍820將首次集成全新的X12 LTE調(diào)制解調(diào)器；支持Cat12 、Cat 13網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)，理論上支持下行600Mbps、上行150Mbps。與前代產(chǎn)品相比，下載和上傳速度分別提高了33%和200%。

 

 

 

 

值得一提的是，X12 LTE調(diào)制解調(diào)器支持下一代高清LTE語音（VoLTE）和LTE視頻（ViLTE）通話服務(wù)，同時還能保證LTE和Wi-Fi間的通話連續(xù)性。

 

借助高通認(rèn)知計算平臺Zeroth的認(rèn)知能力，X12 LTE調(diào)制解調(diào)器能夠?qū)崟r監(jiān)測Wi-Fi連接質(zhì)量，并決定是否及何時在LTE與Wi-Fi間切換通話。

 

此外，驍龍820處理器首次宣布支持LTE 4x4多輸入多輸出（MIMO）技術(shù)，可提高單LTE載波下載吞吐速度，并首次集成閉環(huán)天線調(diào)諧技術(shù)，可在實際網(wǎng)絡(luò)條件

 

下動態(tài)地優(yōu)化射頻性能，尤其適用于高端手機采用的金屬材質(zhì)。減少通話掉線、改善小區(qū)邊緣吞吐量，并且進一步降低功耗。

 

X12 LTE調(diào)制解調(diào)器還支持支持LTE、Wi-Fi之間的多種天線共享機制，幫助手機廠商更輕松的設(shè)計出支持LTE-U、4x4 LTE MIMO和雙頻Wi-Fi等技術(shù)的終端，同時保證具有吸引力的外觀設(shè)計，并且對任一技術(shù)的性能影響降至最低。

 

據(jù)高通透露，搭載驍龍820的高端手機終端，將于2016年上半年正式發(fā)布。

 

高通在旗艦處理器驍龍820上放棄使用8核構(gòu)架轉(zhuǎn)向4核，更多的是意識到高端市場的威脅來自三星；此次中端系列產(chǎn)品全面提升為8核并且為LTE量身打造，3G芯片市場無利可圖，乘MTK衰弱之際爭取更多中國安卓手機廠商訂單。芯片構(gòu)架上的進步趨緩，手機芯片市場再起硝煙。

 

高通推出手機快充3.0兼容USB Type-C

 

高通子公司Qualcomm Technologies同時宣布推出下一代快速充電技術(shù)QualcommQuick Charge3.0?？蓪崿F(xiàn)比上一代效率最高提升38%，快速充電速度最高達(dá)27%，同時幫助保護電池壽命周期。

 

目前，運營商和OEM廠商將受益于既有的Quick Charge生態(tài)系統(tǒng)，包括20多家已支持Quick Charge 2.0技術(shù)的OEM廠商和90多種可用配件。

 

作為快速充電技術(shù)的第三代產(chǎn)品，Quick Charge 3.0在同類產(chǎn)品中首次采用最佳電壓智能協(xié)商（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）算法。該算法在幫助便攜設(shè)備具備選定所需功率電平的能力，以在任意時刻實現(xiàn)最佳功率傳輸，且最大化效率。

 

據(jù)了解，Quick Charge 3.0能在大約35分鐘內(nèi)將一部典型的手機從零電量充電至80%，而不具備Quick Charge的傳統(tǒng)移動終端通常需要大致一個半小時的時間。

 

 

 

 

此外，當(dāng)與Qualcomm最新的、先進并聯(lián)充電配置一起使用時，Quick Charge 3.0可以實現(xiàn)：

 

1、與Quick Charge 2.0相比，幫助提高快速充電速度最高達(dá)27%，或減少功率損耗最高達(dá)45%；

 

2、比Quick Charge 1.0快2倍的充電速度。

 

充電選項方面：Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V和20V四檔充電電壓，Quick Charge 3.0則以200mV增量為一檔，提供從3.6V到20V電壓的靈活選擇。這將允許手機獲得恰到好處的電壓，達(dá)到預(yù)期的充電電流，從而最小化電量損失、提高充電效率并改善熱表現(xiàn)。

 

此外，Quick Charge 3.0能夠與Quick Charge之前的版本及連接器（包括USB Type-C）前向和后向兼容，并且擁有同樣的超快充電速度，以及獨立電路，為OEM廠商提供更靈活的選擇，此外還有幫助達(dá)到質(zhì)量和安全標(biāo)準(zhǔn)的UL認(rèn)證。

 

 

 

 

最后，Quick Charge 3.0將在部分Qualcomm驍龍?zhí)幚砥髦幸赃x配形式提供，包括驍龍820、620、618、617和430處理器；搭載這一技術(shù)的移動終端預(yù)計將于明年上市。