很少有人知道，出版集團McGraw-Hill在1930年因為發(fā)行了同名雜志而發(fā)明“電子(Electronics)”這個名詞；筆者在《Electronics》五十周年時加入該雜志的團隊，并參與了一本記載電子學歷史的書籍編撰，內(nèi)容包括Gordon Moore創(chuàng)辦快捷半導體(Fairchild Semiconductor)以及(與Andy Grove、Robert Noyce)共同創(chuàng)辦英特爾(Intel)等公司的驚人成就。

在《Electronics》創(chuàng)刊三十五周年時，Moore投稿了一篇題為“在集成電路上擠進更多零部件(Cramming more components onto integrated circuits)”的文章，他在文中猜測芯片上晶|FinFET晶|體管的數(shù)量會“每十二個月就加倍”；到了1975年，他將這個規(guī)則修正為“每兩年就加倍”。雖然Moore的預測并不能算是“定律(law)”，但發(fā)明超大規(guī)模集成電路(VLSI)的美國加州理工學院(Caltech)教授Carver Mead大力推廣了“摩爾定律(Moore's law)”概念，以其做為VLSI將推動電子產(chǎn)業(yè)未來成長的標竿。

從那時候開始，摩爾定律成為一個自我實現(xiàn)的預言，全世界的工程師狂熱地投入工作以維持電子指數(shù)成長；像是國際半導體技術(shù)藍圖(International Technology Roadmap for Semiconductors，ITRS)這樣的組織則在幕后運作，定義出讓摩爾定律循著軌道前進需要被克服的障礙。而摩爾定律的實現(xiàn)者則是幾乎同時間由德州儀器(TI) Jack Kilby與Fairchild的Robert Noyce發(fā)明之集成電路(IC)，相關(guān)技術(shù)在Fairchild 的Frank Wanlass于1963年發(fā)明之互補金氧半導體(complementary metal oxide semiconductor，CMOS)邁向成熟。

英特爾是1968年在美國硅谷成立的13家新創(chuàng)公司之一，共同創(chuàng)辦人是Gordon Moore (右)、Robert Noyce (中)與Andy Grove (左)
 

摩爾定律自此不只成為電子產(chǎn)業(yè)的標竿，也讓幾乎各種其他新產(chǎn)業(yè)陷入了對于呈指數(shù)性成長的追求。在電子領(lǐng)域，摩爾定律應用于零部件的尺寸、成本、密度以及速度等各方面，包括整體性能、內(nèi)存容量、傳感器靈敏度、頻率速度甚至是影像傳感器芯片的畫素值。

不過摩爾定律也開始在許多領(lǐng)域失效，其中最明顯的是頻率速度在大約2004年左右就停滯在3GHz最大值；其他呈指數(shù)性成長的領(lǐng)域也開始趨緩。事實上，在上個月的IEEE期刊《Spectrum》，Moore自己也表示：“我預見摩爾定律將會在接下來十年左右的時間終結(jié)。”

然而其他人卻比Moore自己都樂觀，包括英特爾表示其FinFET晶|體管將開始扭轉(zhuǎn)趨勢，能解決目前晶|體管尺寸微縮時的泄漏電流問題，并因此能避免制程進一步微縮以及阻礙頻率速度提升的熱失控(thermal runway)問題。而事實上，天體物理學家Lawrence Krauss與Glenn Starkman在Universal Limits of Computation的論文中預測摩爾定律的期限是600年；點選此連結(jié)看更多摩爾定律這一路走來的半導體技術(shù)發(fā)展歷程。