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利好PK不利因素,2010下半DRAM市場(chǎng)走向如何?

關(guān)鍵字: DRAM  產(chǎn)能  三星  DDR2  DDR3 

DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析,2008年下半受金融海嘯沖擊,除三星電子(Samsung Electronics)外,全球主要 DRAM 廠商皆發(fā)生巨額虧損,為保有手中資金,各 DRAM 廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略,此舉亦讓自2006年以來(lái)全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)擴(kuò)廠競(jìng)賽劃下句點(diǎn)。

 

正因產(chǎn)能擴(kuò)充有限,并伴隨2009年第一季全球景氣見(jiàn)到最低點(diǎn)且逐季好轉(zhuǎn),全球 DRAM 需求量亦同步擴(kuò)張,使得長(zhǎng)年下跌的 DRAM 報(bào)價(jià)亦在2009年得以止跌回升。于此同時(shí),全球DRAM市場(chǎng)的另一件大事則為 DDR2 與 DDR3 的世代交替。柴煥欣說(shuō)明,事實(shí)上,早在2007年三星就采70納米制程生產(chǎn) DDR3 ,但當(dāng)時(shí)全球DRAM市場(chǎng)陷入供過(guò)于求陰霾中,剛問(wèn)世的DDR3價(jià)格自然不具競(jìng)爭(zhēng)力,市場(chǎng)滲透率始終無(wú)法突破5%。

 

但在2009年三星率先跨入5x納米世代制程后,成本競(jìng)爭(zhēng)力大幅提升,使得DDR3價(jià)格開始向DDR2靠攏,甚至低于DDR2,加速DDR3在PC市場(chǎng)滲透率,2010年第二季時(shí),DDR3占DRAM市場(chǎng)出貨比重已達(dá)51%,穩(wěn)居市場(chǎng)主流地位。

 

展望2010年下半,柴煥欣認(rèn)為,受歐債風(fēng)暴沖擊,為全球經(jīng)濟(jì)加入不確定因子,加上以南韓為首的DRAM廠商先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換所增加的產(chǎn)能將大量開出,亦為全球DRAM市場(chǎng)蒙上一層供過(guò)于求的陰影。2009年以來(lái)DRAM市場(chǎng)榮景是否得以延續(xù),或是將進(jìn)入另一波衰退的景氣循環(huán),2010年下半將是重要觀察點(diǎn)。

產(chǎn)品目錄
MULTICOMP PRO
Kyet 科雅薄膜電容器
喬光電子(FTR)
采樣電阻
KINGSTATE(志豐電子)
君耀電子(Brightking)
RUBYCON電容原裝現(xiàn)貨供應(yīng)商
HAMAMATSU 濱松光電產(chǎn)品
傳感器
飛思卡爾開發(fā)工具 Freescale
嵌入式解決方案
自動(dòng)化工業(yè)系統(tǒng)
網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)
行車記錄儀
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